主要性能指标：

技术参数： 1.A管高温区最高温度：1650℃；低温区最高温度：1300℃ 2.A管高温区工作温度：1300-1500℃；低温区工作温度：1100-1250℃ 3.B管高温区最高温度：1100℃；低温区最高温度：1100℃ 4.B管高温区工作温度：800～1050℃；低温区工作温度：800～1050℃ 5.控温精度：±1℃ 主要特点 1.A炉管实际尺寸： Φ90（外径）×1450mm （石英） 2.B炉管实际尺寸： Φ120（外径）×1450mm （刚玉） 3.进口单回路智能温度控制仪ID参数自整定、超温、欠温、断偶报警保护 4.加热元件：优质U型硅钼棒（1800型）、进口KTL电阻丝 5.真空工作模式 6.多种工艺气路，实现多种薄膜材料制备

主要功能：

设备简介： 专门设计用于高（低）温CVD工艺。如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）的气氛烧结等。