全禁带三维光子晶体压印成型方法及全禁带三维光子晶体结构-精密微纳制造技术全国重点实验室

全禁带三维光子晶体压印成型方法及全禁带三维光子晶体结构

时间：2018-11-03点击数：

专利名称：	全禁带三维光子晶体压印成型方法及全禁带三维光子晶体结构
专利号（申请号）：	ZL200810018360.9
批准日期（申请日期）：	2010.09.30
批准部门：	国家知识产权局
发明人姓名：	刘红忠, 丁玉成, 李欣, 蒋维涛, 连芩, 卢秉恒
专利类型：	已授权
成果描述：