主要性能指标：

1、下电极直径为12”， 可实现3”、4”、6“、8”、12”圆片的薄膜沉积 2、下电极加热温度为50-400度, 可编程控制沉积温度 3、8路工艺气体管路, 工艺气体为: 5%SiH4, NH3, N2O, N2, CF4+O2 等 4、MKS气体质量流量控制计, 流量控制精度: ≤±2% (满量程) 5、工艺室极限真空: ≤ 5 × 10-4 Torr 6、工艺室漏气率： ≤ 5 mT/min 7、上电极电源: 功率为0—600W可调，频率13.5MHz的射频电源和匹配器 8、下电极电源：功率为0—300W可调，100 KHz的低频电源和匹配器 9、SiO2 沉积： 1、工艺气体： SiH4，N2O 2、沉积速率： 500 – 1200 A/min 3、膜厚均匀性： ≤± 5% 4、膜厚重复性： ≤± 5% 10、Si3N4 沉积： 1、工艺气体： SiH4，NH3，N2 2、沉积速率： 500 – 1000 A/min 3、膜厚均匀性： ≤± 5% 4、膜厚重复性： ≤± 5%

主要功能：

沉积制备硅、氮化硅、氧化硅等薄膜。