主要性能指标：

请大家集中申请 ------------------------------------------------------ ICP离子源：0-3000W RF射频源：0-600W 装片：1片四英寸，向下兼容 基底刻蚀温度：0℃-200℃可调。 刻蚀气体：SF6、C4F8、CF4、Ar、O2 可刻蚀材料包括：Si，SiO2，SixNx等

主要功能：

通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解，产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面既进行化学反应生成挥发性气体，又有一定的物理刻蚀作用。因为等离子体源与射频加速源分离，所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以获得更高的刻蚀速率，以及更好的各向异性刻蚀。该系统使用了F基刻蚀气体。